规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
5,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
63A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
4.5 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
13nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
870pF @ 15V |
功率 - 最大 |
30W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
8-PowerTDFN |
供应商器件封装 |
PG-TDSON-8 |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
8TDSON EP |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
30 V |
最大连续漏极电流 |
18 A |
RDS -于 |
4.5@10V mOhm |
最大门源电压 |
20 V |
典型导通延迟时间 |
4.7 ns |
典型上升时间 |
3.8 ns |
典型关闭延迟时间 |
17 ns |
典型下降时间 |
3 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Surface Mount |
FET特点 |
Logic Level Gate |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
18A (Ta), 63A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
30V |
供应商设备封装 |
PG-TDSON-8 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
4.5 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
30W |
标准包装 |
5,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
870pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
13nC @ 10V |
封装/外壳 |
8-PowerTDFN |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
BSC0906NSCT |
工厂包装数量 |
5000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
30 V |
晶体管极性 |
N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage |
20 V |
宽度 |
5.15 mm |
Qg - Gate Charge |
13 nC |
封装/外壳 |
TDSON-8 |
下降时间 |
3 nS |
安装风格 |
SMD/SMT |
品牌 |
Infineon Technologies |
通道数 |
1 Channel |
商品名 |
OptiMOS |
配置 |
Single Quad Drain Triple Source |
最高工作温度 |
+ 150 C |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
63 A |
长度 |
5.9 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
4.5 mOhms |
RoHS |
RoHS Compliant |
系列 |
OptiMOS |
身高 |
1.27 mm |
最低工作温度 |
- 55 C |
Pd - Power Dissipation |
30 W |
上升时间 |
3.8 nS |
技术 |
Si |